• Title, Summary, Keyword: 전달 게이트

Search Result 190, Processing Time 0.042 seconds

The Analysis and Prospects of Home Gateway Industry (홈게이트웨이 시장의 진화 전망 분석)

  • Koo, Young-Duk;Park, Yong-Woo
    • Proceedings of the KIEE Conference
    • /
    • /
    • pp.274-276
    • /
    • 2004
  • 홈네트워크를 구현해 가정에 서비스를 전달하기 위해서는 가정내의 홈네트워크 환경, 서비스를 가정까지 전달해주는 외부의 네트워크 환경, 그리고 다양한 서비스 및 콘텐츠의 제공 둥이 필요하다. 다양한 통신망의 변혁 속에서 홈네트워크는 이용자가 직접 통신망에 접속하여 각종 통신망 서비스를 이용하는 정보인프라의 최종단으로 위치하고, 사람의 순환계에 있어서 실핏줄과 같은 역할을 담당하는 부분이며, 홈게이트웨이는 이를 투명하게 전달, 중재하는 핵심역할을 담당한다. 따라서 홈게이트웨이 기능의 변화, 시장 전개 시나리오와 서비스 발전에 따른 홈게이트웨이의 진화 전망을 통하여 홈게이트웨이 업체의 주도권 전망을 분석하였다.

  • PDF

Implementation of Hybrid Firewall System (혼합형 방화벽 시스템 구현 연구)

  • Jung, Ji-Moon; Woo, Sung-Gu;Lee, Syng-Ho;Choi, Sung
    • Proceedings of the Korea Database Society Conference
    • /
    • /
    • pp.364-367
    • /
    • 2000
  • 본 논문은 스크리닝 라우터에서 패킷 필터 규칙을 통과한 모든 트래픽이 베스쳔 호스트로 전달되도록 스크린드 호스트 게이트웨이를 사용하였으며, 스크린드 호스트 게이트웨이의 단점인 스크리닝 라우터의 경로정보가 내부 네트워크로 직접 전달되지 않도록 듀얼-홈드 게이트웨이를 사용하였다. 듀얼-홈드 게이트웨이에서는 두 개의 네트워크 인터페이스간에 트래픽이 직접 전달되지 않기 때문에 응용 게이트 웨이 서버를 통해서 트래픽이 전달되고 모든 접속기록이 베스쳔 호스트에 기록되도록 하였다. 또한 외부 네트워크와 내부 네트워크 사이에 완충지역인 DMZ를 두어 공개 서버를 사용하기 쉽게 구현하여, 스크리닝 라우터와 스크린드 호스트 게이트웨이의 문제점을 해결하는 효과적인 혼합형 방화벽 모델을 제안하고자 한다.

  • PDF

The Electrical Characteristics of ISL ( Intergrated Schottky Logic ) Transistor (ISL 트랜지스터의 전기적 특성)

  • 장창덕;이정석;이용재
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
    • /
    • /
    • pp.151-154
    • /
    • 1998
  • 기존의 바이폴라 논리회로에서 신호변환시 베이스 영역의 소수 캐리어를 빨리 제거하기 위해서, 베이스 부분의 매몰층을 줄여서 npn트랜지스터의 베이스와 에피층과 기판사이에 병합 pnp 트랜지스터를 생성한 트랜지스터와 게이트 당 전달 지연 시간을 측정하기 위한 링-발진기를 설계, 제작하였다. 게이트의 구조는 수직 npn 트랜지스터와 기판과 병합 pnp 트랜지스터이다. 결과로서 npn 트랜지스터의 에미터의 면적이 기존의 접합넓이에 비해서 상당히 적기 때문에 에미터에서 진성베이스로 유입되는 캐리어와 가장자리 부분으로 유입되는 캐리어가 상대적으로 많기 때문에 이 많은 양은 결국 베이스의 전류가 많이 헝성되며, 또 콜렉터의 매몰층이 거의 반으로 줄었기 때문에 콜렉터 전류가 적게 형성되어 이득이 낮아진다. 병합 pnp 트랜지스터는 베이스폭이 크고 농도 분포에서 에미터의 농도와 베이스의 농도 차이가 적기 때문에 전류 이득이 낮아졌다. 게이트를 연결하여 링-발진기를 제작하여 측정한 AC특성의 출력은 정현파로 논리전압의 진폭은 200mV, 최소 전달 지연시간은 211nS이며, 게이트당 최소 전달지연 시간은 7.26nS의 개선된 속도 특성을 얻었다.

  • PDF

The IoT Implementation Technology for e-Health Device Connection (e-Health장비 연결을 위한 IoT구현기술)

  • Yoo, Jinho
    • The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
    • /
    • v.8 no.5
    • /
    • pp.394-399
    • /
    • 2015
  • This paper is a study related to connecting to medical device in IoT environment for e-Health Implementation. The implementation environment of this paper consists of sensing device node, gateway and its server. The information from medical devices on sensor node is transferred to gateway. The gateway transfers the information from their devices into the server and the server saves their transferred information. The medical information from medical devices is ready to use in making medical decision which is saved in database. In this paper, we connected the gateway to the commercial sensor node for implementing gateway functions. We studied and implemented how their network entities communicate each other.

A Study on the Development of a Smart Energy Gateway where energy efficiency network (에너지 IoT를 지원하는 스마트 에너지 게이트웨이 개발에 관한 연구)

  • Kim, Beom-Joo;Han, Jeong-Hoon;Park, So-Young
    • Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
    • /
    • /
    • pp.779-780
    • /
    • 2016
  • 해당 개발 연구기기는 스마트그리드와 같은 에너지 IoT에 적용할 수 있는 다중통신기반 게이트웨이로 정보를 수집하는 무선 구간과 이를 상위 서버로 전달하는 무선 또는 유선 구간을 복합적으로 적용한 장치이다. 에너지를 효율적으로 관리하는 시스템 구축에 있어 여러 정보를 수집하고 상위 관리 서버로 전달하는 중요 역할을 담당한다. 현재는 연구단계로 정보 수집 및 전달은 시험을 완료하였으며, 성능 개선을 진행 중에 있다.

Effects of Surface States on the Transconductance Dispersion and Gate Leakage Current in GaAs Metal - Semiconductor Field-Effect Transistor (GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor에서 표면 결함이 소자의 전달컨덕턴스 분산 및 게이트 표면 누설 전류에 미치는 영향)

  • Choe, Gyeong-Jin;Lee, Jong-Ram
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
    • /
    • v.38 no.10
    • /
    • pp.678-686
    • /
    • 2001
  • Origins for the transconductance dispersion and the gate leakage current in a GaAs metal semiconductor field effect transistor were found using capacitance deep-level transient spectroscopy (DLTS) measurements. In DLTS spectra, we observed two surface states with thermal activation energies of 0.65 $\times$ 0.07 eV and 0.88 $\times$ 0.04 eV and an electron trap EL2 with thermal activation energy of 0.84 $\times$ 0.01 eV. Transconductance was decreased in the frequency range of 5.5 Hz ~ 300 Hz. The transition frequency shifted to higher frequencies with the increase of temperature and the activation energy for the change of the transition frequency was determined to be 0.66 $\times$ 0.02 eV. From the measurements of the gate leakage current as a function of the device temperature, the forward and reverse currents are coincident with each other below gate voltages lower than 0.15 V, namely Ohmic behavior between gate and source/drain electrodes. The activation energy for the conductance of electrons on the surface of MESFET was 0.63 $\times$ 0.01 eV. Comparing activation energies obtained by different measurements, we found surface states H1 caused the transconductance dispersion and the fate leakage current.

  • PDF

Electrical Characteristics of Ambipolar Thin Film Transistor Depending on Gate Insulators (게이트 절연특성에 의존하는 양방향성 박막 트랜지스터의 동작특성)

  • Oh, Teresa
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
    • /
    • v.18 no.5
    • /
    • pp.1149-1154
    • /
    • 2014
  • To observe the tunneling phenomenon of oxide semiconductor transistor, The Indium-gallum-zinc-oxide thin film transistors deposited on SiOC as a gate insulator was prepared. The interface characteristics between a dielectric and channel were changed in according to the properties of SiOC dielectric materials. The transfer characteristics of a drain-source current ($I_{DS}$) and gate-source voltage ($V_{GS}$) showed the ambipolar or unipolar features according to the Schottky or Ohmic contacts. The ambipolar transfer characteristics was obtained at a transistor with Schottky contact in a range of ${\pm}1V$ bias voltage. However, the unipolar transfer characteristics was shown in a transistor with Ohmic contact by the electron trapping conduction. Moreover, it was improved the on/off switching in a ambipolar transistor by the tunneling phenomenon.

The Analysis of Electric characteristics by Voltage Stress in Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor (다결정 실리콘 박막 트랜지스터에서 DC 전압 스트레스에 의한 전기적 특성의 분석)

  • Chang, Won-Soo;Jung, Eun-Sik;Jung, Yon-Shik;Lee, Yong-Jae
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
    • /
    • /
    • pp.202-205
    • /
    • 2002
  • 본 논문은 계속적인 소자의 이용은 전기적인 스트레스까지 야기시키는데, 특히 게이트에 인가되는 전압이나 전류 스트레스는 게이트 산화 막의 열화를 야기 시킬 수 있다. 유리기판위에 저온(${\leq}600^{\circ}C$)공정의 고상결정화을 통하여 다결정 박막 트랜지스터를 제작한 후, 이 소자에 게이트와 드레인에 전압 스트레스를 인가하여 출력 특상과 전달특성을 분석하였는데, 그 결과 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전달특성은 게이트 와 드레인 전압에 의존하는데 임계전압은 긴 채널길이와 좁은 채널 폭에서 높고 출력특성은 갑자기 높은 드레인 전류가 흐른다. 전기적 스트레스가 인가된 소자는 드레인 전류를 감소시킨다. 결국 전계효과 이동도는 긴 채널길이와 좁은 폭의 채널에서 더 빠른 것을 알 수 있다.

  • PDF

The Characteristics Parameter extract of ISL ( Intergrated Schottky Logic ) Transistor (ISL 트랜지스터의 특성 파라메터 추출)

  • 장창덕;이정석;이용재
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
    • /
    • /
    • pp.5-8
    • /
    • 1998
  • 기존의 바이폴라 논리회로에서 신호변환시 베이스 영역의 소수 캐리어를 빨리 제거 하기 위해서, 베이스 부분의 매몰충을 줄여서 npn트랜지스터의 베이스와 에피충과 기판사이에 병합 pnp 트랜지스터를 생성한 트랜지스터와 게이트 당 전달 지연 시간을 측정하기 위한 링-발진기를 설계, 제작하였다. 게이트의 구조는 수직 npn 트랜지스터와 기판과 병합 pnp 트랜지스터이다. 소자 시뮬레이션의 자료를 얻기 위하여 수직 npn 트랜지스터와 병합 pnp 트랜지스터의 전류-전압 특성을 분석하여 특성 파라미터를 추출하였다. 결과로서 npn 트랜지스터의 에미터의 면적이 기존의 접합넓이에 비해서 상당히 적기 때문에 에미터에서 진성베이스로 유입되는 캐리어와 가장자리 부분으로 유입되는 캐리어가 상대적으로 많기 때문에 이 많은 양은 결국 베이스의 전류가 많이 형성되며, 또 콜렉터의 매몰층이 거의 반으로 줄었기 때문에 콜렉터 전류가 적게 형성되어 이득이 낮아진다. 병합 pnp 트랜지스터는 베이스폭이 크고 농도 분포에서 에미터의 농도와 베이스의 농도 차이가 적기 때문에 전류 이득이 낮아졌다. 게이트를 연결하여 링-발진기를 제작하여 측정한 AC특성의 출력은 정현파로 논리전압의 진폭은 200mV, 최소 전달 지연시간은 211nS이며, 게이트당 최소 전달지연 시간은 7.26nS의 개선된 속도 특성을 얻었다.

  • PDF

Analysis of sub-20nm MOSFET Transconductance characteristic by Channel Lenght (채널 길이에 따른 20nm 이하 MOSFET의 전달컨덕턴스 특성 분석)

  • Han, Jihyung;Jung, Hakkee;Lee, Jaehyung;Jeong, Dongsoo;Lee, Jongin;Kwon, Ohshin
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
    • /
    • /
    • pp.935-937
    • /
    • 2009
  • 본 논문에서는 MicroTec을 이용한 채널 길이에 따른 20nm이하 MOSFET의 전달컨덕턴스의 특성을 분석하였다. 전달컨덕턴스는 게이트 전압의 변화에 의한 드레인 전류의 변화이다. MicroTec의 이동도 모델중 Lombardi, Constant, Yamaguchi 모델을 선택하여 이동도 모델에 따른 gm(전달컨덕턴스)를 비교하였다. 인가전압은 소스 0V, 기판 0V, 드레인 0.1V, 게이트는 -2.5V에서 4.5V까지 증가시켰다. 채널의 길이가 줄어들수록 gm(전달컨덕턴스)의 최대값과 드레인 전류가 증가함을 알 수 있었다.

  • PDF