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Preparation of Co-Cr-Ta Thin Films using Two step Method For Perpendicular Magnetic recording Layer

Two-Step 방식을 이용한 수직자기 기록용 Co-Cr-Ta 박막의 제작

  • 박원효 (경원대학교 전기정보공학과) ;
  • 공석현 ;
  • 제우성 (동명정보대학교 공과대학 메카트로닉스공학) ;
  • 최형욱 (경원대학교 전기정보공학) ;
  • 박용서 (경원대학교 전기정보공학) ;
  • 김경환 (경원대학교 전기정보공학과)
  • Published : 2004.07.01

Abstract

In order to improve c-axis crystalline orientation and high perpendicular coercivity of deposited ${Co}_77{Cr}_20{Ta}_3$perpendicualr recording layer, Two step method was investigated using a Facing Targets Sputtering System(FTS). The ${\Delta\theta}_50$ of ${Co}_77{Cr}_20{Ta}_3$recording layer deposited on seedlayer prepared at Room Temperature was as low as $5^\circ$, while that of the recording layer without seedlayer was about 11$^{\circ}$. The Two-Step method using ${Co}_77{Cr}_20{Ta}_3$seedlayer prepared at Room Temperature was shown to be very effective in controling the c-axis orientation of ${Co}_77{Cr}_20{Ta}_3$ recording layer with thin thickness.

References

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